选用半导体放电管应注意以下几点：
　　1、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
　　2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
　　3、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
　　4、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
　　5、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。

　　主要特点：
　　1、适合高密度表面贴装的防静电浪涌吸收器。
　　2、适合流动和回流焊接。
　　3、采用微隙方式,浪涌响应特性优异。
　　4、静电容量低,可用于1DV15507。
　　5、高绝缘阻抗特性。
　　6、可进行编带包装。
　　7、符合IEC61000-4-2规格。