SiC纳米材料具有高的禁带宽度,高的临界击穿电场和热导率,小的介电常数和较高的电子饱和迁移率,以及抗辐射能力强,机械性能好等特性,成为制作高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。SiC 纳米线表现出的室温光致发光性,使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明:微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、金属基和聚合物基复合材料,这些复合材料均表现出良好的机械性能,可以想象用强度硬度更高及长径比更大的SiC 一维纳米材料作为复合材料的增强相,将会使其性能得到进一步增强。SiC一维纳米材料具有 阈值场强低,电流密度大,高温稳定性好等优异特点可望作为电场发射材料,利用这一特性可制成第三代新型电子光源,并将在图像显示技术方面发挥巨大作用。随着研究的深入,研究者还发现一维SiC纳米结构在储氢、光催化和传感等领域都有广泛的应用前景。

比表面积大,高表面活性,松装密度低,具有极好的力学,热学,电学和化学性能,即具有高硬度,高耐磨性和良好的自润滑,高热传导率,低热膨胀系数及高温强度大等特点◆ 性能特点

1、纳米碳化硅粉体具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积等特点;

2、本产品具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点;3、显微硬度为2840~3320kg/mm2, 其硬度介于刚玉和金刚石之间, 机械强度高于刚玉;

4、纳米碳化硅具有优良的导热性能,还是一种半导体,高温时能抗氧化。

1、制造结构器件:如冶金,化工,机械,航天及能源等行业中使用的滑动轴承,液体燃料喷嘴,坩埚,大功率高频率模具,半导体元器件等。

2、金属及其它材料表面处理: 刀具,模具,耐热涂层,散热表面涂层,防腐涂层及吸波涂层等。

3、复合材料: 制备金属基,陶瓷基,高分子基复合材料。