石英晶体
低温石英常呈带尖顶的六方柱状晶体产出,柱面有横纹,类似于六方双锥状的尖顶实际上是由两个菱面体单形所形成的。石英集合体通常呈粒状、块状或晶簇、晶腺等。纯净的石英无色透明,玻璃光泽,贝壳状断口上具油脂光泽,无解理。受压或受热能产生电效应。
![石英晶体](/UploadFile/infouppic/1016226037.jpg)
石英是最重要的造岩矿物之一,在火成岩、沉积岩、变质岩中均有广泛分布。巴西是世界著名的水晶出产国,曾发现直径2.5米、高5米、重达40余吨的水晶晶体。
晶体:等轴状、柱状、六方双锥面形
集合体型态:块状、粗粒状、钟乳状、结核状
硬度:摩氏硬度为7
解理/断口:贝壳状断口
光泽:玻璃光泽
颜色:无、白,带有点灰、黄到橙黄、紫、深紫、粉红、灰褐、褐、黑
条痕:白色
比重:2.65 ~ 2.66
其他:
1、具脆性
2、具有热电性
3、折射率 1.533 ~ 1.541,双折射率差 0.009,色散 0.013
4、石英具有强烈的压电性(Piezoelectric property),即用力敲击摩擦时会产生火花,这也就是燧石取火的方法。
5、石英内常见的包裹体有:发晶(Hair crystal)-主要是金红石;草入水晶-主要为电气石;水胆水晶-石英中有液态包裹体;青石英-内含浅蓝色金红石针状物;乳石英-由细水孔洞引起混浊状;绿石英-由板状或碎片状的绿泥石组成,有时可能是绿色针状的阳起石;砂金石(Aventurine)-石英岩内部含有绿色或红褐色的云母细片,又名耀石英,俗称东陵石。常见烟黑色至暗褐色的烟水晶,主要是这些岩类含有较多量具有放射性之铀、钍元素的关系。
·标称频率:晶体元件规范所指定的频率。
·调整频差:基准温度时,工作频率相对于标称频率的最大允许偏离。常用ppm(1/10)表示。
·温度频差:在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。常用ppm(1/10)表示。
·谐振电阻(Rr):晶体元件在串联谐振频率Fr时的电阻值。
·负载电容(CL): 与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容
·静态电容(C0)
等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。它的常用计算公式为:
C0=KC0×Ae×F0+C常数
KC0——电容常数,其取值与装架形式、晶片形状有关;
Ae——电极面积,单位mm;
F0——标称频率,单位KHz;
C常数——常数,单位pF;
·动态电容(C1)
等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积,另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为:
C1=KC1×Ae×F0+C常数
KC1——电容常数;
Ae——电极面积,单位mm;
F0——标称频率,单位KHz;
C常数——常数,单位pF;
·动态电感(L1)
等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量,它的常用公式为:
L1=1/(2πF0)2C1 (mH)
·串联谐振频率(Fr)
晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个。
·负载谐振频率(FL)
晶体元件与一负载电容串联或并联,其组合阻抗为电阻性的两个频率中的一个频率。
·品质因数(Q)
品质因数又称机械Q值,它是反映谐振器性能好坏的重要参数,它与L1和C1有如下关系
Q=wL1/Rr=1/wRrC1
如上式,R1越大,Q值越低,功率耗散越大,而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高,频率越稳定。
·相对负载频率偏置(DL)
晶体负载谐振频率相对于串联谐振频率的变化量DL=(FL-Fr)/Fr,可由下式近似计算:
DL≈C1/2(C0+CL)
·相对频率牵引范围(DL1,L2)
晶体在两个固定负载间的频率变化量。
D(L1,L2)=│(FL1-FL2)/Fr│=│C1(CL2-CL1)/2(C0+CL1)(C0+CL2)│
·牵引灵敏度(TS)
晶体频率在一固定负载下的变化率 。
TS≈-C1 *1000/2*(C0+CL)2
·激励电平相关性(DLD)
由于压电效应,激励电平强迫谐振子产生机械振荡,在这个过程中,加速度功转化为动能和弹性能,功耗转化为热。后者的转换是由于石英谐振子的内部和外部的摩擦所造成的。
摩擦损耗与振动质点的速度有关,当震荡不再是线性的,或当石英振子内部或其表面及安装点的拉伸或应变、位移或加速度达到临界时,摩擦损耗将增加。因而引起频率和电阻的变化。
加工过程中造成DLD不良的主要原因
——谐振子表面存在微粒污染。主要产生原因为生产环境不洁净或非法接触晶片表面;
——谐振子的机械损伤。主要产生原因为研磨过程中产生的划痕。
——电极中存在微粒或银球。主要产生原因为真空室不洁净和镀膜速率不合适。
——装架是电极接触不良;
——支架、电极和石英片之间存在机械应力。
折叠寄生响应
所有晶体元件除了主响应(需要的频率)之外,还有其它的频率响应。减弱寄生响应的办法是改变晶片的几何尺寸、电极,以及晶片加工工艺,但是同时会改变晶体的动、静态参数。
·寄生响应的测量
1、SPDB 用DB表示Fr的幅度与最大寄生幅度的差值;
2、SPUR在最大寄生处的电阻;
3、SPFR 最小电阻寄生与谐振频率的距离,用Hz或ppm表示。
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